脈沖激光沉積/激光分子束外延系統

荷蘭Twente Solid State Technology BV（TSST）公司專注于為用戶提供定制化的脈沖激光沉積系統（PLD），以及相關薄膜制備解決方案，公司具有20多年研究與生產脈沖激光沉積系統的經驗。

TSST與世界最大的納米與微系統技術研究中心之一荷蘭Twente大學MESA⁺ Institute保持著密切合作，開發出各種脈沖激光沉積技術中需要使用的核心技術。

脈沖激光沉積原理：在真空環境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊，利用激光產生的局域熱量將靶材物質轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

PLD工作原理圖

激光分子束外延系統（LMBE），是在PLD的基礎上發展起來的外延薄膜生長技術。

在高氧氣壓力環境下實現RHEED原位監控，曾是RHEED分析的一個重要難題，TSST第一個提出差分抽氣的方式實現高壓環境下RHEED原位監控---TorrRHEED，TSST是TorrRHEED的發明人，在系統制造和RHEED的使用，以及結果分析方面，有豐富的經驗。

標準激光分子束外延系統 （LMBE）

脈沖激光沉積技術適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

應用領域：

單晶薄膜外延（SrTiO₃，LaAlO₃）

壓電薄膜（PZT，AlN，BiFeO₃，BaTiO₃）

鐵電薄膜（BaTiO₃，KH₂PO₄）

熱電薄膜（SrTiO₃）

金屬和化合物薄膜電極（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO₃，LaNiO₃，YZrO₂，GdCeO₂，LaSrCoFeO₃）

半導體薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO₃）

高K介質薄膜（HfO₂，CeO₂，Al2O₃，BaTiO₃，SrTiO₃，PbZrTiO₃，LaAlO₃，Ta₂O₅）

超導薄膜（YBa₂CuO_7-x，BiSrCaCuO）

光波導，光學薄膜（PZT，AlN，BaTiO₃，Al₂O₃，ZrO₂，TiO₂）

超疏水薄膜（PTFE）

紅外探測薄膜（V₂O₅，PZT）

外延薄膜展示